Исследование и разработка процесса плазм химического травления кремния и кремнийсодержащих соединений в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.12.18)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Дикарев, Ю. И. |
Опубликовано: | Киев , 1983 |
Физические характеристики: |
18 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr34709990000 | ||
005 | 20070801172840.0 | ||
100 | # | # | $a 20070801d1983 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UA |
200 | 1 | # | $a Исследование и разработка процесса плазм химического травления кремния и кремнийсодержащих соединений в производстве полупроводниковых приборов и интегральных микросхем $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.12.18) |
210 | # | # | $a Киев $d 1983 |
215 | # | # | $a 18 с. |
300 | # | # | $a В надзаг.: АН УССР, Ин-т кибернетики им. В. М. Глушкова. Библиогр.: с. 15-18 (33 назв.). Для служеб. пользования |
686 | # | # | $a 05.12.18 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Дикарев $b Ю. И. $g Юрий Иванович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070801 $g psbo |