Исследование глубоких центров в GaAs, AlxGai-xAs и Si релаксационными методами: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ443365,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Джунаидов, С. С.
Опубликовано: Ташкент , 1982
Физические характеристики: 18 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr34673080000
005 20070801172532.0
021 # # $a RU  $b [83-831a] 
100 # # $a 20070801d1982 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UZ 
200 1 # $a Исследование глубоких центров в GaAs, AlxGai-xAs и Si релаксационными методами  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 
210 # # $a Ташкент  $d 1982 
215 # # $a 18 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева. Библиогр.: с. 17-18 (14 назв.) 
675 # # $a 621.315.592 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Джунаидов  $b С. С.  $g Самей Саматович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070801  $g psbo