|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr34643390000 |
| 005 |
20180517131857.0 |
| 010 |
# |
# |
$d Б. ц.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [87-82586]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070801d1987 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a AZ
|
| 200 |
1 |
# |
$a Влияние электронного облучения на свойства GaAs диодов
$f Т. Д. Джафаров, Т. В. Цыганова, М. С. Гаджиев
|
| 210 |
# |
# |
$a Баку
$d 1987
|
| 215 |
# |
# |
$a 13 с.
$c ил.
|
| 225 |
2 |
# |
$a Препр.
$f Лаб. полупроводниковых эпитаксиал. структур
$f АН АзССР, Ин-т физики
$v № 239
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 13 (5 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 100 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Диоды - Действие ионизирующих излучений
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.382.2:621.373.826
|
| 700 |
# |
1 |
$a Джафаров
$b Т. Д.
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070801
$g psbo
|
