Фазовые переходы в полупроводниках A³B6 со структурой типа TlSe при давлении до 37 ГПа: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Моск. физ.-техн. ин-т
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Демишев, Г. Б. |
Опубликовано: | М. , 1988 |
Физические характеристики: |
24 с. : граф.
|
Язык: | Русский |
00000cam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr34542580000 | ||
005 | 20230622121308.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [88-22183а] |
100 | # | # | $a 20070801d1988 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Фазовые переходы в полупроводниках A³B6 со структурой типа TlSe при давлении до 37 ГПа $e (01.04.07) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f Моск. физ.-техн. ин-т |
210 | # | # | $a М. $d 1988 |
215 | # | # | $a 24 с. $c граф. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 23-24 (7 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Демишев $b Г. Б. $g Геннадий Борисович |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070801 $g psbo |