Фазовые переходы в полупроводниках A³B6 со структурой типа TlSe при давлении до 37 ГПа: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Моск. физ.-техн. ин-т

Сохранено в:
Шифр документа: 85698/88,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Демишев, Г. Б.
Опубликовано: М. , 1988
Физические характеристики: 24 с. : граф.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr34542580000
005 20230622121308.0
021 # # $a RU  $b [88-22183а] 
100 # # $a 20070801d1988 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Фазовые переходы в полупроводниках A³B6 со структурой типа TlSe при давлении до 37 ГПа  $e (01.04.07)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f Моск. физ.-техн. ин-т 
210 # # $a М.  $d 1988 
215 # # $a 24 с.  $c граф. 
300 # # $a Библиогр.: с. 23-24 (7 назв.) 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Демишев  $b Г. Б.  $g Геннадий Борисович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070801  $g psbo