Закономерности локализации внедренных атомов, образования и распада радиационных дефектов в полупроводниковых соединениях типа А{в.инд.}(III)B{в.инд.}(V): Автореф. дис на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / НПО "Монокристаллреактив"
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Деев, А. С. |
| Опубликовано: | Харьков , 1991 |
| Физические характеристики: |
26 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||