Закономерности локализации внедренных атомов, образования и распада радиационных дефектов в полупроводниковых соединениях типа А{в.инд.}(III)B{в.инд.}(V): Автореф. дис на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.07) / НПО "Монокристаллреактив"

Сохранено в:
Шифр документа: 172542/91,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Деев, А. С.
Опубликовано: Харьков , 1991
Физические характеристики: 26 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr34493670000
005 20070801162518.0
100 # # $a 20070801d1991 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Закономерности локализации внедренных атомов, образования и распада радиационных дефектов в полупроводниковых соединениях типа А{в.инд.}(III)B{в.инд.}(V)  $e Автореф. дис на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.07)  $f НПО "Монокристаллреактив" 
210 # # $a Харьков  $d 1991 
215 # # $a 26 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 23-26 (17 назв.) 
686 # # $a 01.04.07  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Деев  $b А. С.  $g Алексей Степанович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070801  $g psbo