Анизотропное рассеяние электронов в n-Ge и n-Si: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени д-ра физ.-мат. наук / Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Даховский, И. В. |
| Опубликовано: | Вильнюс , 1973 |
| Физические характеристики: |
29 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||