Анизотропное рассеяние электронов в n-Ge и n-Si: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени д-ра физ.-мат. наук / Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Даховский, И. В. |
| Опубликовано: | Вильнюс , 1973 |
| Физические характеристики: |
29 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr34446970000 | ||
| 005 | 20070727180133.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [73-20989а] |
| 100 | # | # | $a 20070727d1973 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a LT |
| 200 | 1 | # | $a Анизотропное рассеяние электронов в n-Ge и n-Si $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени д-ра физ.-мат. наук $f Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса |
| 210 | # | # | $a Вильнюс $d 1973 |
| 215 | # | # | $a 29 с. |
| 300 | # | # | $a Список лит.: с. 23-29 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Даховский $b И. В. $g Игорь Владимирович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070727 $g psbo |