Фотоэлектрические явления и поглощение света в структурах с потенциальным барьером на основе полупроводников A³B⁵: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степени д-ра физ.-мат. наук / Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ325476,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Гуткин, А. А.
Опубликовано: Л. , 1978
Физические характеристики: 33 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr34293710000
005 20070727185416.0
021 # # $a RU  $b [78-1990а] 
100 # # $a 20070727d1978 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Фотоэлектрические явления и поглощение света в структурах с потенциальным барьером на основе полупроводников A³B⁵  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени д-ра физ.-мат. наук  $f Ленингр. политехн. ин-т им. М. И. Калинина 
210 # # $a Л.  $d 1978 
215 # # $a 33 с. 
300 # # $a Список работ авт.: с. 30-33 (38 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Гуткин  $b А. А.  $g Андрей Абрамович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070727  $g psbo