Электрические и фотоэлектрические свойства nCdS-pInP гетеропереходов, полученных химическим осаждением из газовой фазы: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН АзССР, Ин-т физики

Сохранено в:
Шифр документа: 2118/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Гусейнов, И. А.
Опубликовано: Баку , 1985
Физические характеристики: 21 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr34277560000
005 20220105140340.0
100 # # $a 20070727d1985 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a AZ 
200 1 # $a Электрические и фотоэлектрические свойства nCdS-pInP гетеропереходов, полученных химическим осаждением из газовой фазы  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f АН АзССР, Ин-т физики 
210 # # $a Баку  $d 1985 
215 # # $a 21 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 19-21 (15 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Гусейнов  $b И. А.  $g Инкар Афраил оглы 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070727  $g psbo