|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
001 |
BY-NLB-rr34238530000 |
005 |
20070727163833.0 |
010 |
# |
# |
$b В пер.
$d 1 р.
|
021 |
# |
# |
$a RU
$b [80-53625]
|
100 |
# |
# |
$a 20070727d1979 y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
200 |
1 |
# |
$a Физические принципы построения МОП-структур на кремнии и электрофизические процессы в них
$e Библиогр. указ. отеч. и иностр. лит. за 1964-1978 гг.
|
210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$c [Б. и.]
$d 1979
|
215 |
# |
# |
$a 233 с.
$d 21 см
|
300 |
# |
# |
$a На пер. авт. не указаны. В надзаг.: Ин-т физики полупроводников, Сиб. отд-ние АН СССР
|
345 |
# |
# |
$9 500 экз.
|
610 |
0 |
# |
$a МДП-структуры - Указатели литературы
|
675 |
# |
# |
$a 016:621.382.01
|
700 |
# |
1 |
$a Гуртов
$b В. А.
|
701 |
# |
1 |
$a Лебедева
$b О. Ф.
|
711 |
0 |
2 |
$a Институт физики полупроводников. Новосибирск
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070727
$g psbo
|