Влияние облучения быстрыми электронами на фотолюминесценцию GaAs и Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН УССР, Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гурошев, В. И. |
| Опубликовано: | Киев , 1987 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||