Влияние облучения быстрыми электронами на фотолюминесценцию GaAs и Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН УССР, Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гурошев, В. И. |
| Опубликовано: | Киев , 1987 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr34236090000 | ||
| 005 | 20070727163833.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [87-10480а] |
| 100 | # | # | $a 20070727d1987 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Влияние облучения быстрыми электронами на фотолюминесценцию GaAs и Al{н.инд.}(x)Ga{н.инд.}(1-x)As $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f АН УССР, Ин-т полупроводников |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1987 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 15-16 (10 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Гурошев $b В. И. $g Вячеслав Иванович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070727 $g psbo |