Исследование процессов роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе Ga-AsCl₃-H₂ и их электрофизических свойств: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Львов. гос. ун-т им. Ивана Франко
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гудз, Э. С. |
| Опубликовано: | Львов , 1974 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||