Исследование процессов роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе Ga-AsCl₃-H₂ и их электрофизических свойств: (01.04.07): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук / Львов. гос. ун-т им. Ивана Франко
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гудз, Э. С. |
| Опубликовано: | Львов , 1974 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr34137260000 | ||
| 005 | 20070727154040.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [74-27536а] |
| 100 | # | # | $a 20070727d1974 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Исследование процессов роста эпитаксиальных слоев арсенида галлия в системе Ga-AsCl₃-H₂ и их электрофизических свойств $e (01.04.07) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук $f Львов. гос. ун-т им. Ивана Франко |
| 210 | # | # | $a Львов $d 1974 |
| 215 | # | # | $a 18 с. |
| 300 | # | # | $a Список работ авт.: с. 17-18 (12 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.07 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Гудз $b Э. С. $g Элеонора Степановна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070727 $g psbo |