Электрические и фотоэлектрические свойства соединений TlSbSe2, TlSbS2 и приборных структур на их основе: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН МССР, Ин-т приклад. физики

Сохранено в:
Шифр документа: 2069/86СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Гринчешен, И. Н.
Опубликовано: Кишинев , 1985
Физические характеристики: 16 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr34024310000
005 20220105151916.0
100 # # $a 20070727d1985 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a MD 
200 1 # $a Электрические и фотоэлектрические свойства соединений TlSbSe2, TlSbS2 и приборных структур на их основе  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f АН МССР, Ин-т приклад. физики 
210 # # $a Кишинев  $d 1985 
215 # # $a 16 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 15-16 (12 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Гринчешен  $b И. Н.  $g Илья Николаевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070727  $g psbo