|
|
|
|
|
00000nam0a22000001ib4500 |
001 |
BY-NLB-rr33927560000 |
005 |
20070720185549.0 |
010 |
# |
# |
$d 26 к.
|
021 |
# |
# |
$a RU
$b [83-27780]
|
100 |
# |
# |
$a 20070720d1982 y0rusy50 ca
|
101 |
0 |
# |
$a rus
|
102 |
# |
# |
$a RU
|
200 |
1 |
# |
$a Ядерное легирование полупроводников
$f [Греськов И. М., Соловьев С. П., Харченко В. А.]
|
210 |
# |
# |
$a М.
$c НИИТЭхим
$d 1982
|
215 |
# |
# |
$a 34 с.
$c ил.
$d 20 см
|
225 |
2 |
# |
$a Хим. пром-сть. Обзор. информ. Сер. «Радиац. стойкость орган. материалов»
$f М-во хим. пром-сти, НИИ техн.-экон. исслед.
$x 0202-4799
|
300 |
# |
# |
$a Авт. указаны на 2-й с. обл. Библиогр.: с. 32-34 (22 назв.)
|
345 |
# |
# |
$9 245 экз.
|
610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Действие ионизирующих излучений - Обзоры информационные
|
610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Легирование - Обзоры информационные
|
675 |
# |
# |
$a 621.315.592.002(048.8)
|
700 |
# |
1 |
$a Греськов
$b И. М.
$g Иван Маркович
|
701 |
# |
1 |
$a Соловьев
$b С. П.
$g Сергей Петрович
|
701 |
# |
1 |
$a Харченко
$b В. А.
$g Вячеслав Александрович
|
711 |
0 |
2 |
$a НИИ техн.-экон. исследований М-ва хим. пром-сти СССР
|
801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070720
$g psbo
|