Ядерное легирование полупроводников / [Греськов И. М., Соловьев С. П., Харченко В. А.]

Сохранено в:
Шифр документа: М228798,
Вид документа: Книги
Автор: Греськов, И. М.
Опубликовано: М. : НИИТЭхим , 1982
Физические характеристики: 34 с. : ил. ; 20 см
Язык: Русский
Серия: Хим. пром-сть. Обзор. информ. Сер. «Радиац. стойкость орган. материалов»
Предмет:
00000nam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr33927560000
005 20070720185549.0
010 # # $d 26 к. 
021 # # $a RU  $b [83-27780] 
100 # # $a 20070720d1982 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Ядерное легирование полупроводников  $f [Греськов И. М., Соловьев С. П., Харченко В. А.] 
210 # # $a М.  $c НИИТЭхим  $d 1982 
215 # # $a 34 с.  $c ил.  $d 20 см 
225 2 # $a Хим. пром-сть. Обзор. информ. Сер. «Радиац. стойкость орган. материалов»  $f М-во хим. пром-сти, НИИ техн.-экон. исслед.  $x 0202-4799 
300 # # $a Авт. указаны на 2-й с. обл. Библиогр.: с. 32-34 (22 назв.) 
345 # # $9 245 экз. 
610 0 # $a Полупроводники - Действие ионизирующих излучений - Обзоры информационные 
610 0 # $a Полупроводники - Легирование - Обзоры информационные 
675 # # $a 621.315.592.002(048.8) 
700 # 1 $a Греськов  $b И. М.  $g Иван Маркович 
701 # 1 $a Соловьев  $b С. П.  $g Сергей Петрович 
701 # 1 $a Харченко  $b В. А.  $g Вячеслав Александрович 
711 0 2 $a НИИ техн.-экон. исследований М-ва хим. пром-сти СССР 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070720  $g psbo