Исследование явлений переноса носителей заряда и процессов формирования легированных слоев полупроводниковых структур: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Грессеров, Б. Н. |
| Опубликовано: | Л. , 1990 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr33926800000 | ||
| 005 | 20070720185549.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070720d1990 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Исследование явлений переноса носителей заряда и процессов формирования легированных слоев полупроводниковых структур $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН СССР, Физико-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1990 |
| 215 | # | # | $a 19 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 19 (9 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Грессеров $b Б. Н. $g Борис Николаевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070720 $g psbo |