Технологические аспекты получения структур кремния на стекловидной диэлектрической подложке методом переноса эпитаксиального слоя: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.06) / Моск. ин-т электрон. техники

Сохранено в:
Шифр документа: 36452/87СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Горюнов, И. П.
Опубликовано: М. , 1987
Физические характеристики: 23 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr33836720000
005 20070720184534.0
100 # # $a 20070720d1987 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Технологические аспекты получения структур кремния на стекловидной диэлектрической подложке методом переноса эпитаксиального слоя  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук  $e (05.27.06)  $f Моск. ин-т электрон. техники 
210 # # $a М.  $d 1987 
215 # # $a 23 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 22-23 (9 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 05.27.06  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Горюнов  $b И. П.  $g Игорь Петрович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070720  $g psbo