Получение и исследование эпитаксиальных слоев антимонида галлия и твердых растворов в системе Ga-Al-Sb: (05.17.16): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. хим. наук / Ин-т тонкой хим. технологии им. М. В. Ломоносова

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ220792,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Гончарова, Т. С.
Опубликовано: М. , 1973
Физические характеристики: 22 с. : граф.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr33693720000
005 20070723161114.0
021 # # $a RU  $b [73-25930а] 
100 # # $a 20070723d1973 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Получение и исследование эпитаксиальных слоев антимонида галлия и твердых растворов в системе Ga-Al-Sb  $e (05.17.16)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. хим. наук  $f Ин-т тонкой хим. технологии им. М. В. Ломоносова 
210 # # $a М.  $d 1973 
215 # # $a 22 с.  $c граф. 
686 # # $a 05.17.16  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Гончарова  $b Т. С.  $g Тамара Сергеевна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070723  $g psbo