Получение и исследование эпитаксиальных слоев антимонида галлия и твердых растворов в системе Ga-Al-Sb: (05.17.16): Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. хим. наук / Ин-т тонкой хим. технологии им. М. В. Ломоносова
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Гончарова, Т. С. |
Опубликовано: | М. , 1973 |
Физические характеристики: |
22 с. : граф.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr33693720000 | ||
005 | 20070723161114.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [73-25930а] |
100 | # | # | $a 20070723d1973 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Получение и исследование эпитаксиальных слоев антимонида галлия и твердых растворов в системе Ga-Al-Sb $e (05.17.16) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степени канд. хим. наук $f Ин-т тонкой хим. технологии им. М. В. Ломоносова |
210 | # | # | $a М. $d 1973 |
215 | # | # | $a 22 с. $c граф. |
686 | # | # | $a 05.17.16 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Гончарова $b Т. С. $g Тамара Сергеевна |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070723 $g psbo |