Переходные процессы в четырехслойных полупроводниковых P-N-P-N приборах: Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук / Моск. гос. ун-т им. М. В. Ломоносова. Физ. фак.
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гомонова, А. И. |
| Опубликовано: | М. , 1965 |
| Физические характеристики: |
10 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr33663760000 | ||
| 005 | 20070720182103.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [65-88374] |
| 100 | # | # | $a 20070720d1965 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Переходные процессы в четырехслойных полупроводниковых P-N-P-N приборах $e Автореферат дисс. на соискание учен. степени кандидата физ.-мат. наук $f Моск. гос. ун-т им. М. В. Ломоносова. Физ. фак. |
| 210 | # | # | $a М. $d 1965 |
| 215 | # | # | $a 10 с. |
| 700 | # | 1 | $a Гомонова $b А. И. $g Аллина Ивановна |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070720 $g psbo |