Формирование легированных и двухслойных диэлектрических пленок на поверхности полупроводниковых соединений для технологии интегральных схем: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.06) / Моск. ин-т электрон. техники
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Голубская, И. Э. |
Опубликовано: | М. , 1985 |
Физические характеристики: |
28 с.
|
Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|