Исследование процессов на поверхности полупроводников типа A³B5 при активировании их цезием и кислородом: (01.04.04): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН УССР, Ин-т физики
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гойса, С. Н. |
| Опубликовано: | Киев , 1987 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000cam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr33533800000 | ||
| 005 | 20221223104838.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [87-6186а] |
| 100 | # | # | $a 20070720d1987 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Исследование процессов на поверхности полупроводников типа A³B5 при активировании их цезием и кислородом $e (01.04.04) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f АН УССР, Ин-т физики |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1987 |
| 215 | # | # | $a 19 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 17-19 (18 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.04 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Гойса $b С. Н. $g Сергей Николаевич |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070720 $g psbo |