Однопереходный фототранзистор на основе высокоомного компенсированного полупроводника: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Одес. гос. ун-т. им. И. И. Мечникова
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гинько, В. И. |
| Опубликовано: | Одесса , 1986 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr33400500000 | ||
| 005 | 20070720133044.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070720d1986 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Однопереходный фототранзистор на основе высокоомного компенсированного полупроводника $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Одес. гос. ун-т. им. И. И. Мечникова |
| 210 | # | # | $a Одесса $d 1986 |
| 215 | # | # | $a 15 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 14-15 (13 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Гинько $b В. И. $g Валерий Иванович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070720 $g psbo |