Фотоэлектрические явления в выпрямляющих структурах металл-полупроводник с тонким промежуточным слоем на основе Ga As: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Герасимов, А. Л. |
| Опубликовано: | Л. , 1980 |
| Физические характеристики: |
21 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr33294500000 | ||
| 005 | 20070719202149.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070719d1980 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Фотоэлектрические явления в выпрямляющих структурах металл-полупроводник с тонким промежуточным слоем на основе Ga As $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Л. $d 1980 |
| 215 | # | # | $a 21 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Библиогр.: с. 20-21 (13 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Герасимов $b А. Л. $g Андрей Любенов |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070719 $g psbo |