Люминесцентные и усилительные особенности в сильно фотовозбужденных прямозонных полупроводниках с квантовыми ямами: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.05.10) / Вильн. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Геразимас, Е. |
| Опубликовано: | Вильнюс , 1991 |
| Физические характеристики: |
19 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr33288270000 | ||
| 005 | 20070719202149.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070719d1991 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a LT |
| 200 | 1 | # | $a Люминесцентные и усилительные особенности в сильно фотовозбужденных прямозонных полупроводниках с квантовыми ямами $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.05.10) $f Вильн. ун-т |
| 210 | # | # | $a Вильнюс $d 1991 |
| 215 | # | # | $a 19 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 13-19 (20 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.05.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Геразимас $b Е. $g Ердвилис |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070719 $g psbo |