Бинарные комплексы дефектов в широкозонных полупроводниках / А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев, А. В. Заяц

Сохранено в:
Шифр документа: 177509,
Вид документа: Книги
Автор: Георгобиани, А. Н.
Опубликовано: М. , 1986
Физические характеристики: 49 с.
Язык: Русский
Серия: Препр. Физика твердого тела № 303
Предмет:
00000cam0a22000001ib4500
001 BY-NLB-rr33287390000
005 20170815133754.0
010 # # $d Б. ц. 
021 # # $a RU  $b [86-97700] 
100 # # $a 20070719d1986 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Бинарные комплексы дефектов в широкозонных полупроводниках  $f А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев, А. В. Заяц 
210 # # $a М.  $d 1986 
215 # # $a 49 с. 
225 2 # $a Препр. Физика твердого тела  $f Лаб. люминесценции  $f Физ. ин-т им. П. Н. Лебедеве АН СССР  $v № 303 
300 # # $a Библиогр.: с. 47-49 (32 назв.) 
345 # # $9 100 экз. 
610 0 # $a Полупроводники - Дефекты 
675 # # $a 537.311.322:548.4 
700 # 1 $a Георгобиани  $b А. Н. 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070719  $g psbo