Бинарные комплексы дефектов в широкозонных полупроводниках / А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев, А. В. Заяц
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Георгобиани, А. Н. |
Опубликовано: | М. , 1986 |
Физические характеристики: |
49 с.
|
Язык: | Русский |
Серия: |
Препр. Физика твердого тела
№ 303 |
Предмет: |
00000cam0a22000001ib4500 | |||
001 | BY-NLB-rr33287390000 | ||
005 | 20170815133754.0 | ||
010 | # | # | $d Б. ц. |
021 | # | # | $a RU $b [86-97700] |
100 | # | # | $a 20070719d1986 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Бинарные комплексы дефектов в широкозонных полупроводниках $f А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев, А. В. Заяц |
210 | # | # | $a М. $d 1986 |
215 | # | # | $a 49 с. |
225 | 2 | # | $a Препр. Физика твердого тела $f Лаб. люминесценции $f Физ. ин-т им. П. Н. Лебедеве АН СССР $v № 303 |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 47-49 (32 назв.) |
345 | # | # | $9 100 экз. |
610 | 0 | # | $a Полупроводники - Дефекты |
675 | # | # | $a 537.311.322:548.4 |
700 | # | 1 | $a Георгобиани $b А. Н. |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070719 $g psbo |