Электрофизические свойства имплантированных кремниевых структур со скрытыми дефектными слоями: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН УССР, Ин-т полупроводников
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Гелашвили, Н. А. |
| Опубликовано: | Киев , 1987 |
| Физические характеристики: |
15 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr33249590000 | ||
| 005 | 20070718130646.0 | ||
| 021 | # | # | $a RU $b [87-9782а] |
| 100 | # | # | $a 20070718d1987 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UA |
| 200 | 1 | # | $a Электрофизические свойства имплантированных кремниевых структур со скрытыми дефектными слоями $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f АН УССР, Ин-т полупроводников |
| 210 | # | # | $a Киев $d 1987 |
| 215 | # | # | $a 15 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 14-15 (9 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Гелашвили $b Н. А. $g Нодари Александрович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070718 $g psbo |