Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InP, легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ495053,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Гацоев, К. А.
Опубликовано: Л. , 1984
Физические характеристики: 17 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr33222050000
005 20070719201517.0
100 # # $a 20070719d1984 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Разработка и исследование гетероструктур InGaAsP/InP, легированных различными примесями для высокоэффективных излучателей  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Л.  $d 1984 
215 # # $a 17 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Библиогр.: с. 16-17 (9 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Гацоев  $b К. А.  $g Казбек Аркадиевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070719  $g psbo