Фотоэлектрическое усиление, статические, малосигнальные и шумовые характеристики структур из компенсированных полупроводников с двойной инжекцией: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-матем. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ397464СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Гаспарян, Ф. В.
Опубликовано: Баку , 1981
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr33204950000
005 20070717204712.0
100 # # $a 20070717d1981 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a AZ 
200 1 # $a Фотоэлектрическое усиление, статические, малосигнальные и шумовые характеристики структур из компенсированных полупроводников с двойной инжекцией  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-матем. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Баку  $d 1981 
215 # # $a 15 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН АзССР, Ин-т физики. Библиогр.: с. 14-15 (13 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Гаспарян  $b Ф. В.  $g Фердинанд Вазгенович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070717  $g psbo