Электронные явления, обусловленные перезарядкой локальных уровней, в неоднородном полупроводнике типа монокристаллов селенида индия: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ476966,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Гасанов, Я. Г.
Опубликовано: Баку , 1983
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr33199760000
005 20070717204712.0
021 # # $a RU  $b [84-155а] 
100 # # $a 20070717d1983 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a AZ 
200 1 # $a Электронные явления, обусловленные перезарядкой локальных уровней, в неоднородном полупроводнике типа монокристаллов селенида индия  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук 
210 # # $a Баку  $d 1983 
215 # # $a 15 с. 
300 # # $a В надзаг.: Азерб. гос. ун-т им. С. М. Кирова. Библиогр.: с. 14-15 (12 назв.) 
675 # # $a 621.315.592 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Гасанов  $b Я. Г.  $g Ягуб Гасан оглы 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070717  $g psbo