Полевые генерационные эффекты в высокоомных полупроводниковых структурах: Дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук. в форме науч. докл.: (01.04.10) / Моск. ин-т электрон. машиностроения

Сохранено в:
Шифр документа: 51738/88СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Фролов, В. Д.
Опубликовано: М. , 1988
Физические характеристики: 27 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr33135660000
005 20070717203407.0
100 # # $a 20070717d1988 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Полевые генерационные эффекты в высокоомных полупроводниковых структурах  $e Дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук. в форме науч. докл.  $e (01.04.10)  $f Моск. ин-т электрон. машиностроения 
210 # # $a М.  $d 1988 
215 # # $a 27 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 26-27 (14 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Фролов  $b В. Д.  $g Вадим Дмитриевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070717  $g psbo