Кинетические эффекты в многодолинных полупроводниках (n-Si и n-Ge) при одноосной упругой деформации: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН Украины, Ин-т полупроводников
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Федосов, А. В. |
Опубликовано: | Киев , 1992 |
Физические характеристики: |
32 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr32846150000 | ||
005 | 20070717184720.0 | ||
100 | # | # | $a 20070717d1992 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a UA |
200 | 1 | # | $a Кинетические эффекты в многодолинных полупроводниках (n-Si и n-Ge) при одноосной упругой деформации $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f АН Украины, Ин-т полупроводников |
210 | # | # | $a Киев $d 1992 |
215 | # | # | $a 32 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 26-32 (43 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Федосов $b А. В. $g Анатолий Васильевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070717 $g psbo |