Кинетические эффекты в многодолинных полупроводниках (n-Si и n-Ge) при одноосной упругой деформации: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН Украины, Ин-т полупроводников

Сохранено в:
Шифр документа: 179722/92,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Федосов, А. В.
Опубликовано: Киев , 1992
Физические характеристики: 32 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr32846150000
005 20070717184720.0
100 # # $a 20070717d1992 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a UA 
200 1 # $a Кинетические эффекты в многодолинных полупроводниках (n-Si и n-Ge) при одноосной упругой деформации  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. д-ра физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f АН Украины, Ин-т полупроводников 
210 # # $a Киев  $d 1992 
215 # # $a 32 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 26-32 (43 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Федосов  $b А. В.  $g Анатолий Васильевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070717  $g psbo