Функциональный контроль электрофизических свойств многослойных полупроводниковых структур для СВЧ-диодов на основе барьеров Шотки Me-GaAs и гетеропереходов Gc-GaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Федоров, Ю. Ю. |
Опубликовано: | Горький , 1987 |
Физические характеристики: |
22 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr32820570000 | ||
005 | 20070717183810.0 | ||
100 | # | # | $a 20070717d1987 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Функциональный контроль электрофизических свойств многослойных полупроводниковых структур для СВЧ-диодов на основе барьеров Шотки Me-GaAs и гетеропереходов Gc-GaAs $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского |
210 | # | # | $a Горький $d 1987 |
215 | # | # | $a 22 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 21-22 (14 назв.). Для служеб. пользования |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Федоров $b Ю. Ю. $g Юрий Юрьевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070717 $g psbo |