Функциональный контроль электрофизических свойств многослойных полупроводниковых структур для СВЧ-диодов на основе барьеров Шотки Me-GaAs и гетеропереходов Gc-GaAs: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского

Сохранено в:
Шифр документа: 26015/87СК,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Федоров, Ю. Ю.
Опубликовано: Горький , 1987
Физические характеристики: 22 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr32820570000
005 20070717183810.0
100 # # $a 20070717d1987 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Функциональный контроль электрофизических свойств многослойных полупроводниковых структур для СВЧ-диодов на основе барьеров Шотки Me-GaAs и гетеропереходов Gc-GaAs  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10)  $f Горьк. гос. ун-т им. Н. И. Лобачевского 
210 # # $a Горький  $d 1987 
215 # # $a 22 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 21-22 (14 назв.). Для служеб. пользования 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Федоров  $b Ю. Ю.  $g Юрий Юрьевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070717  $g psbo