Адгезия полупроводников и полупроводниковых соединении: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Моск. ин-т электрон. техники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Фазылов, Ф. Р. |
| Опубликовано: | М. , 1985 |
| Физические характеристики: |
22 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr32726830000 | ||
| 005 | 20070716152934.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070716d1985 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Адгезия полупроводников и полупроводниковых соединении $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Моск. ин-т электрон. техники |
| 210 | # | # | $a М. $d 1985 |
| 215 | # | # | $a 22 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 21-22 (7 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Фазылов $b Ф. Р. $g Фоат Рафаилович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070716 $g psbo |