Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с λ~1,3 мкм: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)

Сохранено в:
Шифр документа: АЯ494084,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Усиков, А. С.
Опубликовано: Л. , 1984
Физические характеристики: 19 с.
Язык: Русский
00000cam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr32633730000
005 20210504101244.0
100 # # $a 20070716d1984 y0rusy50 ||||ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с λ~1,3 мкм  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $e (01.04.10) 
210 # # $a Л.  $d 1984 
215 # # $a 19 с. 
300 # # $a В надзаг.: АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Библиогр.: с. 18-19 (12 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Усиков  $b А. С.  $g Александр Сергеевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070716  $g psbo