Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с λ~1,3 мкм: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Усиков, А. С. |
Опубликовано: | Л. , 1984 |
Физические характеристики: |
19 с.
|
Язык: | Русский |
00000cam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr32633730000 | ||
005 | 20210504101244.0 | ||
100 | # | # | $a 20070716d1984 y0rusy50 ||||ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Разработка и исследование свойств гетероструктур InGaAsP/InP для когерентных излучателей с λ~1,3 мкм $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
210 | # | # | $a Л. $d 1984 |
215 | # | # | $a 19 с. |
300 | # | # | $a В надзаг.: АН СССР. Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе. Библиогр.: с. 18-19 (12 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Усиков $b А. С. $g Александр Сергеевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070716 $g psbo |