Высокотемпературная ионная имплантация в кремний: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Тысченко, И. Е. |
Опубликовано: | Новосибирск , 1992 |
Физические характеристики: |
15 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr32489460000 | ||
005 | 20070710152151.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [92-3220а] |
100 | # | # | $a 20070710d1992 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Высокотемпературная ионная имплантация в кремний $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников |
210 | # | # | $a Новосибирск $d 1992 |
215 | # | # | $a 15 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 15 (8 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Тысченко $b И. Е. $g Ида Евгеньевна |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070710 $g psbo |