Высокотемпературная ионная имплантация в кремний: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников

Сохранено в:
Шифр документа: 155587/92,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Тысченко, И. Е.
Опубликовано: Новосибирск , 1992
Физические характеристики: 15 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr32489460000
005 20070710152151.0
021 # # $a RU  $b [92-3220а] 
100 # # $a 20070710d1992 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Высокотемпературная ионная имплантация в кремний  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f Рос. акад. наук, Сиб. отд-ние, Ин-т физики полупроводников 
210 # # $a Новосибирск  $d 1992 
215 # # $a 15 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 15 (8 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Тысченко  $b И. Е.  $g Ида Евгеньевна 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070710  $g psbo