Исследование физических свойств и разработка технологии отслаиваемых эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Турсунов, М. Н. |
| Опубликовано: | Ташкент , 1982 |
| Физические характеристики: |
18 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr32461480000 | ||
| 005 | 20070710151849.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070710d1982 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a UZ |
| 200 | 1 | # | $a Исследование физических свойств и разработка технологии отслаиваемых эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Ташкент $d 1982 |
| 215 | # | # | $a 18 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: АН УзССР, Физ.-техн. ин-т им. С. В. Стародубцева. Библиогр.: с. 16-18. Для служеб. пользования |
| 675 | # | # | $a 621.315.592:621.382 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Турсунов $b М. Н. $g Мухаммад Нишанович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070710 $g psbo |