|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr32265120000 |
| 005 |
20161004135540.0 |
| 010 |
# |
# |
$d Б. ц.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [86-47211]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070709d1986 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
|
| 200 |
1 |
# |
$a Фотоемкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках
|
| 210 |
# |
# |
$a Новосибирск
$d 1986
|
| 215 |
# |
# |
$a 46 с.
$c рис.
|
| 225 |
2 |
# |
$a Препр.
$f АН СССР. Сиб. отд-ние Ин-т физики полупроводников
$v 8-85
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 43-46 (36 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 200 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводники - Спектроскопия
|
| 675 |
# |
# |
$a 621.315.592:53.53
|
| 700 |
# |
1 |
$a Торчинов
$b Х. З.
$g Хаджи-Мурат Заурбекович
|
| 701 |
# |
1 |
$a Бобылев
$b Б. А.
$g Борис Александрович
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070709
$g psbo
|
