О возможности применения слабо легированных пленок GaAs p-типа для фотоэмиссии электронов высокой поляризации из гетероструктуры GaAs-(AlGa) As в электростатическом однородном внешнем поле
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Торикян, Л. Г. |
| Опубликовано: | [М.] Ереван : ЦНИИ информ. и техн.-экон. исслед. по атом. науке и технике , 1991 |
| Физические характеристики: |
16 с. ; 20 см
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Препринт
ЕФИ-1323(18)-91 |
| Предмет: |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||