|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr32255520000 |
| 005 |
20161125153226.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 10 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [91-38956]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070709d1991 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a RU
$a AM
|
| 200 |
1 |
# |
$a О возможности применения слабо легированных пленок GaAs p-типа для фотоэмиссии электронов высокой поляризации из гетероструктуры GaAs-(AlGa) As в электростатическом однородном внешнем поле
|
| 210 |
# |
# |
$a [М.]
$a Ереван
$c ЦНИИ информ. и техн.-экон. исслед. по атом. науке и технике
$d 1991
|
| 215 |
# |
# |
$a 16 с.
$d 20 см
|
| 225 |
2 |
# |
$a Препринт
$f Ерев. физ. ин-т
$v ЕФИ-1323(18)-91
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 16 (12 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 299 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Полупроводниковые соединения - Фотоэлектрические свойства
|
| 610 |
0 |
# |
$a Фотоэлектронная эмиссия
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.322:535.215
|
| 700 |
# |
1 |
$a Торикян
$b Л. Г.
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070709
$g psbo
|
