Разработка методов и средств контроля электрофизических параметров неоднородных по глубине полупроводниковых структур GaAs, предназначенных для изготовления активных элементов СВЧ электроники: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.06) / Моск. ин-т электрон. техники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Токарев, В. Ф. |
| Опубликовано: | М. , 1988 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
ОФХ отдела книгохранения
| Всего : 1 , доступно: 1 | Доступно Заказать | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||