Разработка методов и средств контроля электрофизических параметров неоднородных по глубине полупроводниковых структур GaAs, предназначенных для изготовления активных элементов СВЧ электроники: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук: (05.27.06) / Моск. ин-т электрон. техники
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Токарев, В. Ф. |
| Опубликовано: | М. , 1988 |
| Физические характеристики: |
20 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr32154540000 | ||
| 005 | 20070704195820.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070704d1988 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a RU |
| 200 | 1 | # | $a Разработка методов и средств контроля электрофизических параметров неоднородных по глубине полупроводниковых структур GaAs, предназначенных для изготовления активных элементов СВЧ электроники $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. техн. наук $e (05.27.06) $f Моск. ин-т электрон. техники |
| 210 | # | # | $a М. $d 1988 |
| 215 | # | # | $a 20 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 18-20 (22 назв.). Для служеб. пользования |
| 686 | # | # | $a 05.27.06 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Токарев $b В. Ф. $g Владимир Федорович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070704 $g psbo |