Фотогальванические эффекты при оптической ориентации электронов и ядер в полупроводниках: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Сохранено в:
Вид документа: | |
---|---|
Автор: | Ткачук, М. Н. |
Опубликовано: | Л. , 1986 |
Физические характеристики: |
20 с.
|
Язык: | Русский |
00000nam0a22000001ia4500 | |||
001 | BY-NLB-rr32137460000 | ||
005 | 20070704195713.0 | ||
021 | # | # | $a RU $b [86-19623а] |
100 | # | # | $a 20070704d1986 y0rusy50 ca |
101 | 0 | # | $a rus |
102 | # | # | $a RU |
200 | 1 | # | $a Фотогальванические эффекты при оптической ориентации электронов и ядер в полупроводниках $e (01.04.10) $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе |
210 | # | # | $a Л. $d 1986 |
215 | # | # | $a 20 с. |
300 | # | # | $a Библиогр.: с. 19-20 (12 назв.) |
686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
700 | # | 1 | $a Ткачук $b М. Н. $g Михаил Николаевич |
801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070704 $g psbo |