Фотогальванические эффекты при оптической ориентации электронов и ядер в полупроводниках: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 43263/86,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Ткачук, М. Н.
Опубликовано: Л. , 1986
Физические характеристики: 20 с.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr32137460000
005 20070704195713.0
021 # # $a RU  $b [86-19623а] 
100 # # $a 20070704d1986 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Фотогальванические эффекты при оптической ориентации электронов и ядер в полупроводниках  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a Л.  $d 1986 
215 # # $a 20 с. 
300 # # $a Библиогр.: с. 19-20 (12 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Ткачук  $b М. Н.  $g Михаил Николаевич 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070704  $g psbo