Исследование инжекционных лазеров в системе InGaAsP/GaAs и InGaAsP/GaAsP со сверхтонкими активными областями: (01.04.10): Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук / АН СССР, Фчз.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе

Сохранено в:
Шифр документа: 92548/88,
Вид документа: Авторефераты диссертаций
Автор: Тикунов, А. В.
Опубликовано: Л. , 1988
Физические характеристики: 16 с. : граф.
Язык: Русский
00000nam0a22000001ia4500
001 BY-NLB-rr32009000000
005 20070704194623.0
021 # # $a RU  $b [88-26884а] 
100 # # $a 20070704d1988 y0rusy50 ca 
101 0 # $a rus 
102 # # $a RU 
200 1 # $a Исследование инжекционных лазеров в системе InGaAsP/GaAs и InGaAsP/GaAsP со сверхтонкими активными областями  $e (01.04.10)  $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук  $f АН СССР, Фчз.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе 
210 # # $a Л.  $d 1988 
215 # # $a 16 с.  $c граф. 
300 # # $a Библиогр.: с. 15-16 (12 назв.) 
686 # # $a 01.04.10  $2 oksvnk 
700 # 1 $a Тикунов  $b А. В.  $g Александр Викторович 
801 # 1 $a BY  $b BY-HM0000  $c 20070704  $g psbo