Магниторезистивная и холловская ЭДС в n-Si и n-Ge в СВЧ электромагнитных полях: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / Вильнюс. ун-т
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Таурас, В. |
| Опубликовано: | Вильнюс , 1992 |
| Физические характеристики: |
14 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr31890690000 | ||
| 005 | 20070704192215.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070704d1992 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a LT |
| 200 | 1 | # | $a Магниторезистивная и холловская ЭДС в n-Si и n-Ge в СВЧ электромагнитных полях $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) $f Вильнюс. ун-т |
| 210 | # | # | $a Вильнюс $d 1992 |
| 215 | # | # | $a 14 с. |
| 300 | # | # | $a Библиогр.: с. 9-10 (15 назв.) |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Таурас $b В. $g Витаутас |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070704 $g psbo |