Разогрев носителей заряда интенсивным оптическим излучением в узкозонных полупроводниках типа InSb: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10)
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Тамашявичюс, А. В. |
| Опубликовано: | Вильнюс , 1983 |
| Физические характеристики: |
16 с.
|
| Язык: | Русский |
| 00000nam0a22000001ia4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr31794940000 | ||
| 005 | 20070704190621.0 | ||
| 100 | # | # | $a 20070704d1983 y0rusy50 ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a LT |
| 200 | 1 | # | $a Разогрев носителей заряда интенсивным оптическим излучением в узкозонных полупроводниках типа InSb $e Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук $e (01.04.10) |
| 210 | # | # | $a Вильнюс $d 1983 |
| 215 | # | # | $a 16 с. |
| 300 | # | # | $a В надзаг.: Вильнюс. гос. ун-т им. В. Капсукаса. Библиогр.: с. 13-16. Для служеб. пользования |
| 675 | # | # | $a 537.311.33 |
| 686 | # | # | $a 01.04.10 $2 oksvnk |
| 700 | # | 1 | $a Тамашявичюс $b А. В. $g Арунас-Витаутас Витаутович |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070704 $g psbo |