Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов Ga Se и GaS, легированных Ni и Co / Б. Г. Тагиев, Г. М. Нифтиев, С. М. Баширов
Сохранено в:
| Вид документа: | |
|---|---|
| Автор: | Тагиев, Б. Г. |
| Опубликовано: | Баку , 1984 |
| Физические характеристики: |
27 с.
|
| Язык: | Русский |
| Серия: |
Препринт
№ 106 |
| Предмет: |
| 00000cam0a22000001ib4500 | |||
| 001 | BY-NLB-rr31759000000 | ||
| 005 | 20141006153405.0 | ||
| 010 | # | # | $d Беспл. |
| 100 | # | # | $a 20070709d1984 y0rusy50 ||||ca |
| 101 | 0 | # | $a rus |
| 102 | # | # | $a AZ |
| 200 | 1 | # | $a Электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов Ga Se и GaS, легированных Ni и Co $f Б. Г. Тагиев, Г. М. Нифтиев, С. М. Баширов |
| 210 | # | # | $a Баку $d 1984 |
| 215 | # | # | $a 27 с. |
| 225 | 2 | # | $a Препринт $f АН АзССР, Ин-т физики $v № 106 |
| 300 | # | # | $a Библиогр. в конце статьи |
| 345 | # | # | $9 100 экз. |
| 606 | 0 | # | $3 BY-NLB-ar1659644 $a ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЕ СОЕДИНЕНИЯ $2 DVNLB |
| 675 | # | # | $a 621.315.592 |
| 700 | # | 1 | $a Тагиев $b Б. Г. |
| 801 | # | 1 | $a BY $b BY-HM0000 $c 20070709 $g psbo |