|
|
|
|
|
00000cam0a22000001ib4500 |
| 001 |
BY-NLB-rr31727230000 |
| 005 |
20170112100405.0 |
| 010 |
# |
# |
$d 15 к.
|
| 021 |
# |
# |
$a RU
$b [86-79074]
|
| 100 |
# |
# |
$a 20070704d1986 y0rusy50 ||||ca
|
| 101 |
0 |
# |
$a rus
|
| 102 |
# |
# |
$a UA
|
| 200 |
1 |
# |
$a Фотоэлектрическая память в арсениде галлия
$e Учеб. пособие
$f Киев. политехн. ин-т им. 50-летия Великой Окт. соц. революции
|
| 210 |
# |
# |
$a Киев
$c КПИ
$d 1986
|
| 215 |
# |
# |
$a 65, [1] с.
$c граф.
$d 20 см
|
| 300 |
# |
# |
$a Библиогр.: с. 76 (9 назв.)
|
| 345 |
# |
# |
$9 500 экз.
|
| 610 |
0 |
# |
$a Галлий, арсенид - Электрофизические свойства
|
| 610 |
0 |
# |
$a Фотоэлектронные приборы полупроводниковые - Чувствительные элементы
|
| 675 |
# |
# |
$a 537.311.322:535.215(075.8)
|
| 700 |
# |
1 |
$a Сытенко
$b Т. Н.
|
| 701 |
# |
1 |
$a Черкашин
$b В. П.
|
| 801 |
# |
1 |
$a BY
$b BY-HM0000
$c 20070704
$g psbo
|
