Фотопреобразователи на основе Al-Ga-As и Yn-Ga-As-P гетероструктур, полученных сочетанием эпитаксиальных и диффузионных методов: Автореф. дис. на соиск. учен. степ. канд. физ.-мат. наук: (01.04.10) / АН СССР, Физ.-техн. ин-т им. А. Ф. Иоффе
Захавана ў:
| Тып дакумента: | |
|---|---|
| Аўтар: | Сулима, О. В. |
| Апублікавана: | Л. , 1985 |
| Фізіч. характарыстыкі: |
17 с.
|
| Мова: | Руская |
ОФХ отдела книгохранения
| Усяго : 1 , даступна: 1 | Даступна Замовіць | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|||||||||||